Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

MOS capacitor holding time and diffusion length at DRAM refresh test temperature

Ammar Bouhdada, Jean Oualid
Журнал:
Microelectronics Journal
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 558 KB
english, 1995
4

Modelling of gate-induced drain leakage in relation to technological parameters and temperature

A. Bouhdada, S. Bakkali, A. Touhami
Журнал:
Microelectronics Reliability
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 339 KB
english, 1997
6

Impact of the defects on the electrical and optical properties of AlGaN ultraviolet photodetectors

Hanzaz, M., Bouhdada, A., Gibart, P., Omnès, F.
Журнал:
Journal of Applied Physics
Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 336 KB
english, 2002
7

Influence of Gd on the Magnetic Properties of Amorphous (Fe1—xGdx)80B20

A. Hassini, M. Slimani, M. Seqqat, H. Oukris, M. Hamdoun, A. Bouhdada, H. Lassri
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 215 KB
english, 1999
9

New model of gate-induced drain current density in an NMOS transistor

A. Bouhdada, A. Touhami, S. Bakkali
Журнал:
Microelectronics Journal
Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 265 KB
english, 1998
11

Magnetic coupling in amorphous Fe80−xGdxB20 alloys

A Hassini, H Lassri, A Bouhdada, M Ayadi, R Krishnan, I Mansouri, B Chaker
Журнал:
Physica B: Condensed Matter
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 133 KB
english, 2000
12

Modelling of the surface potential evolution for a stressed submicronic MOSFET

R. Marrakh, A. Bouhdada
Журнал:
Microelectronics Journal
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
english, 2000
13

Magnetic properties and exchange interactions in T80-xGdxB20 amorphous alloys (T=FE, Co)

A. Hassini, A, Bouhdada, M. Ayadi
Журнал:
Annales de Chimie Science des Matériaux
Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 302 KB
english, 1999
14

Characterization of leakage currents in long-lifetime capacitors

Oualid, J., Bouhdada, A.
Журнал:
IEEE Transactions on Electron Devices
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 504 KB
english, 1986
15

Two new temperature compensated current sources

Fabre, A., Alami, M., Alaoui, B., Bouhdada, A.
Журнал:
IEEE Transactions on Circuits and Systems I Fundamental Theory and Applications
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 148 KB
english, 1997
16

Magnetic study in amorphous Fe[sub 67]Y[sub 33] alloy

Hassini, A., Bouhdada, A., Lassri, H., Krishnan, R.
Журнал:
Journal of Applied Physics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 224 KB
english, 2001
17

Electrical and optical proprieties of photodiodes based on ZnSe material

Bouhdada, A., Hanzaz, M., Vigué, F., Faurie, J. P.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 207 KB
english, 2003
20

Modeling of gate-induced drain leakage current in n-type metal–oxide–semiconductor field effect transistor

Touhami, A., Bouhdada, A.
Журнал:
Journal of Applied Physics
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 391 KB
english, 2001
24

Synthesis, characterization and spectroscopic properties of the hydrazodye and new hydrazodye-metal complexes

Bouhdada, M., ELAmane, M.
Журнал:
Journal of Molecular Structure
Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.18 MB
english, 2017
27

Modeling of Interface Defect Distribution for an n -MOSFETs Under Hot-Carrier Stressing

Marrakh, R., Bouhdada, A.
Журнал:
Active and Passive Electronic Components
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.63 MB
english, 2000
28

Modeling of Surface Potential and Threshold Voltage of LDD n MOSFET's with Localized Defects

Bouhdada, A., Marrakh, R.
Журнал:
Active and Passive Electronic Components
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.83 MB
english, 2000